EUV lithography

Lithography

1. EUV 13.5nm:眾所矚目,但問題頗多

2.193nm 硬撐

     immersion--降低wavelength

     double pattern, inverse lithography--玩材料特性

3.e-beam:速度慢

4.nanoimprint

5.self assembly:還很遙遠

EUV lithography

讓波長一次到位,不用搞些小技巧像是改n,改材料來提升解析度

Canon停止開發

Nikon進度也普通

ASML著墨最多,有廠商下單

到了如此低的波長,問題頗多

1. 吸收很高-> 改用反射式
2. 光源產生方式-> X-ray激發plasma,但要coherence,低fluctuation light source?
3. photoresistor->該用啥當光阻?
4. secondary electron:近乎x-ray波長下,太容易激發材料
   ......etc

很多issue都還在研發階段

不看好,但是值得期待

話說:

• TSMC並沒有壓寶在EUV上,而是投注在multi e-beam到底誰會勝出呢?
• ASML最近台灣大舉徵才,缺不少